Görsel mevcut değil
MMBT6517LT3G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- MMBT6517 - HIGH VOLTAGE NPN BIPO
MMBT6517LT3G Hakkında
MMBT6517LT3G, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek gerilim NPN bipolar junction transistörüdür. 350V collector-emitter breakdown voltajı ile güç kaynağı kontrolü, anahtarlama devreleri, darbe amplifikasyon ve RF uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 100mA maksimum kolektör akımı, 200MHz transition frekansı ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 225mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 20 minimum DC akım kazancı (50mA, 10V koşullarında) belirtilmiştir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V