Görsel mevcut değil
MMBT6517LT3G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23
MMBT6517LT3G Hakkında
MMBT6517LT3G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj NPN BJT transistörüdür. TO-236-3 (SOT-23) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, 350V kolektör-emiter kırılma voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Maksimum 100mA kolektör akımı ve 200MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 225mW güç dağıtımı kapasitesi ile düşük güçlü sinyal işleme, anahtarlama devreler ve kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ölçüm cihazları, güç kaynakları ve koruma devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V