Görsel mevcut değil
MMBT6517LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 350V 0.1A SOT23
MMBT6517LT1G Hakkında
MMBT6517LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar transistördür. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent 350V maksimum kolektor-emitter gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 100mA maksimum kolektör akımı ve 200MHz transition frequency'si ile orta frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon devreleri için uygun olacak şekilde tasarlanmıştır. 225mW maksimum güç tüketimi sınırlaması ile birlikte, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel kontrol, sinyal amplifikasyonu ve voltaj regülasyon devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V