Görsel mevcut değil
MMBT5962
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
MMBT5962 Hakkında
MMBT5962, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, 100mA maksimum collector akımı ve 45V breakdown voltajı ile düşük güçlü elektronik uygulamalarında kullanılır. 600 minimum DC current gain (hFE) değeri ile voltaj amplifikasyonu gerektiren devrelerde tercih edilir. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sağlar. Ses amplifikatörleri, sensör arabirimleri, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak yer alır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
2nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
600 @ 10mA, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45 V