Görsel mevcut değil
MMBT5550LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 140V 600MA SOT23-3
MMBT5550LT1G Hakkında
MMBT5550LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltajlı NPN bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 600mA kolektör akımı ve 140V çökertme voltajı ile çalışabilir. DC akım kazancı (hFE) 10mA, 5V koşullarında minimum 60 değerindedir. Maximum 225mW güç harcaması ile belirtilen transistör, -55°C ile +150°C arasında güvenilir şekilde çalışır. Düşük saturasyon voltajı (250mV @ 50mA) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimlidir. Kontrol devreleri, gerilim düzenleyiciler, anahtarlama uygulamaları ve sinyal yükseltme gibi çeşitli alanlarda kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
140 V