Görsel mevcut değil
MMBT5401M3T5G
MMBT5401M3T5G Hakkında
MMBT5401M3T5G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 150V collector-emitter breakdown voltajı ile güç kaynağı kontrol devrelerinde, anahtar uygulamalarında ve darbe amplifikasyonunda tercih edilir. 60mA maksimum collector akımı ve 130mW güç dağıtım kapasitesi ile orta seviye sinyal işleme ve anahtarlama görevlerini gerçekleştirir. SOT-723 Surface Mount paketinde sunulan komponent, 180MHz transition frequency ile frekans özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol sistemleri ve portable cihazlarda yaygın olarak kullanılan bir transistördür.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
180MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
SOT-723
Part Status
Active
Power - Max
130 mW
Supplier Device Package
SOT-723
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V