Görsel mevcut değil
MMBT5089LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 25V 50MA SOT23-3
MMBT5089LT1G Hakkında
MMBT5089LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek kazançlı NPN bipolar junction transistördür. SOT-23-3 yüzey montajlı paket ile küçük form faktöründe tasarlanmıştır. 25V VCEO ile çalışabilen bu transistör, maksimum 50mA kolektör akımında ve 300mW güç disipasyonu kapasitesinde çalışır. 400'ün üzerinde DC akım kazancı (hFE) ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 50MHz transition frequency ile düşük frekanslı sinyal işleme, kontrol devreleri ve dijital mantık entegrasyonunda uygulanabilir. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Sinyal amplifikasyonu, anahtarlama, inverter devreler ve sensor kontrolü gibi uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25 V