Görsel mevcut değil
MMBT3906
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-PNP SI- GEN PUR AMP
MMBT3906 Hakkında
MMBT3906, NTE Electronics tarafından üretilen silikon tabanlı PNP bipolar junction transistördür. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, genel amaçlı amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 200 mA kolektör akımı, 250 MHz transition frekansı ve 350 mW güç kapasitesi ile sahip olduğu özellikler, ses amplifikatörleri, ön amplifikatörler, darbe şekillendirme devreleri ve genel elektronik kontrol sistemlerinde yer almasını mümkün kılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilme yeteneği, çok çeşitli ortam koşullarına uyum sağlanmasına olanak tanır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V