Görsel mevcut değil
MMBT3906_F080
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- INTEGRATED CIRCUIT
MMBT3906_F080 Hakkında
MMBT3906_F080, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, 200mA maksimum collector akımı ve 250MHz transition frequency ile çalışır. 40V collector-emitter gerilim dayanımı ve 350mW maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına uygun olan bu komponent, düşük sinyalli anahtarlama uygulamaları, amplifikasyon devreleri ve genel amaçlı transistör uygulamalarında kullanılır. Minimum 100 hFE DC akım kazancı ile sinyal kontrolü gerektiren devreler için uygundur. Küçük form faktörü nedeniyle yoğun entegrasyon gerektiren elektronik cihazlarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V