Görsel mevcut değil
MMBT3416LT3G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 40V 100MA SOT23-3
MMBT3416LT3G Hakkında
MMBT3416LT3G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 40V maksimum Vce desimleme voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile sinyal işleme, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. Surface mount SOT-23-3 paketlemesiyle, kompakt tasarımlı elektronik cihazlarda yer alan analog amplifikatörler, ses devreleri, röle kontrolü ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 225mW maksimum güç tüketimi ve -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı ile çeşitli ortam koşullarında güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
75 @ 2mA, 4.5V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 3mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V