Görsel mevcut değil
MMBT2907A RFG
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR, PNP, -60V, -0.6A, 50
MMBT2907A RFG Hakkında
MMBT2907A RFG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen PNP bipolar junction transistörtür. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, -60V collector-emitter breakdown voltajına ve 600mA maksimum collector akımına sahiptir. 200MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 350mW güç kapasitesi ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı ile geniş endüstriyel ve tüketici uygulamalarında yer alabilir. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, darbe şekilleme ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. DC current gain (hFE) değeri 150mA'da, 10V'da minimum 100'dür.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
SOT-23
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V