Görsel mevcut değil
MMBT2907A
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-PNP SI- GEN PUR AMP
MMBT2907A Hakkında
MMBT2907A, NTE Electronics tarafından üretilen yüksek frekans PNP bipolar junction transistörüdür. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu komponent, genel amaçlı sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 600mA collector akımı, 200MHz transition frequency ve 350mW maksimum güç kapasitesi ile sinyallerin anahtarlanması, amplifikasyonu ve modülasyonu gibi orta düzey güç gerektiren elektronik devrelerde yer alır. 60V collector-emitter breakdown voltajı, 150°C'ye kadar işletme sıcaklığı ve 100 minimum DC current gain özellikleri ile endüstriyel kontrol, ses amplifikasyonu, RF devreler ve genel sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V