Görsel mevcut değil
MMBT2369ALT3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
MMBT2369ALT3 Hakkında
MMBT2369ALT3, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek kaliteli NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Küçük sinyal uygulamalarına yönelik tasarlanan bu transistör, 200 mA maksimum kollektör akımı ve 225 mW maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Surface mount teknolojisi ile TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. DC akım kazancı (hFE) 100mA ve 1V'de minimum 20 değerinde belirtilmiştir. 15V maksimum kollektör-emiter breakdown voltajı ve 500mV doyum voltajı (10mA taban akımı, 100mA kollektör akımında) ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılmaya uygundur. Aktif parça olması nedeniyle geniş ürün yelpazesinde tercih edilen bir bileşendir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
400nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 100mA, 1V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
15 V