Görsel mevcut değil
MMBT2222LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 30V 600MA SOT23-3
MMBT2222LT1G Hakkında
MMBT2222LT1G, onsemi tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 30V kolektör-emitter gerilimi ve 600mA kolektör akımı ile çalışabilir. 250MHz transition frequency'ye sahip olan bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maksimum 300mW güç tüketimi ile düşük güç uygulamaları, sinyal işleme devreleri, darbe şekillendirme ve lojik seviye değişim uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
300 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V