Görsel mevcut değil
MMBT2222ALP4-7B
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 40V 0.6A 3DFN
MMBT2222ALP4-7B Hakkında
MMBT2222ALP4-7B, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek sıklık uygulamalarında genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri için tasarlanmıştır. 40V kesme voltajı, 600mA maksimum kolektör akımı ve 300MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama operasyonlarına uygundir. 3-XFDFN yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 0.6A'e kadar akım yönetebilir ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Tüketici elektroniği, anahtarlama devreleri, sinyal amplifikasyonu ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır. Düşük güç tüketimi (460mW) ve kompakt form faktörü ile PCB alanından tasarruf sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
3-XFDFN
Part Status
Active
Power - Max
460 mW
Supplier Device Package
X2-DFN1006-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V