Görsel mevcut değil
MJE5852G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 400V 8A TO220AB
MJE5852G Hakkında
MJE5852G, Rochester Electronics tarafından üretilen high-voltage PNP bipolar junction transistördür. 400V collector-emitter breakdown voltajı ve 8A maksimum collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 80W maksimum güç dağıtımına sahiptir. -65°C ile 150°C arasında çalışabilen MJE5852G, switching uygulamaları, güç amplifikatörleri ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. 5V saturasyon voltajı ve minimum 5 hFE akım kazancı ile stabil performans sağlar. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
5 @ 5A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
80 W
Supplier Device Package
TO-220
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
5V @ 3A, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V