Görsel mevcut değil
MJE5731G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 350V 1A TO220AB
MJE5731G Hakkında
MJE5731G, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 1A kollektör akımı ve 350V gerilim dayanımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 40W maksimum güç disipasyonuna sahip bu transistör, 30 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 10MHz geçiş frekansı ile switch ve amplifier devrelerde uygulanabilir. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanım imkanı sunar. Audio amplifikasyonu, güç kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition
10MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
40 W
Supplier Device Package
TO-220
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V