Görsel mevcut değil
MJE521G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 40V 4A TO225AA
MJE521G Hakkında
MJE521G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 40V maksimum kolektör-emitter bozulma gerilimi ve 4A maksimum kolektör akımı ile çalışan bu transistör, 40W güç kapasitesine sahiptir. TO-225AA (TO-126) paketlemesi ile Through Hole montajı destekleyen MJE521G, -65°C ile 150°C arasında çalışabilir. 1A kolektör akımında 40V ile 1V koşullarında minimum 40 DC akım kazancı (hFE) sağlar. Motor sürücüleri, güç anahtarlaması devreleri ve orta seviye RF uygulamalarında kullanılan bu bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete status).
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 1A, 1V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
40 W
Supplier Device Package
TO-126
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V