Görsel mevcut değil
MJE200G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 40V 5A TO225AA
MJE200G Hakkında
MJE200G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar transistördür. 40V collector-emitter breakdown voltajı ve 5A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. 15W maksimum güç çıkışı, 65MHz transition frequency ve -65°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı sunar. Düşük Vce saturation voltajı (1.8V @ 1A, 5A) ile enerji verimliliği sağlar. TO-225AA/TO-126 Through Hole paketleriyle endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve amplifikasyon çevrelerinde yaygın olarak kullanılır. ICBO maksimum 100nA ile minimal sızıntı akımına sahiptir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
45 @ 2A, 1V
Frequency - Transition
65MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Part Status
Active
Power - Max
15 W
Supplier Device Package
TO-126
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.8V @ 1A, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V