Görsel mevcut değil
MJE182
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN SI- AF PO
MJE182 Hakkında
MJE182, NTE Electronics tarafından üretilen silisyum NPN bipolar junction transistörlüdür. TO-225AA ve TO-126-3 paketlerinde sunulan bu transistör, 3A maksimum collector akımı ve 80V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 50 MHz transition frequency ile RF ve ses frekansı devrelerinde, 50 minimum DC current gain ile anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerinde uygulanabilir. 12.5W maksimum güç dissipasyonu ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç anahtarlama uygulamalarında ve ses amplifikatörlerinde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Part Status
Active
Power - Max
12.5 W
Supplier Device Package
SOT-32-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.7V @ 600mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V