Görsel mevcut değil
MJE181G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 3A TO225AA
MJE181G Hakkında
MJE181G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-225AA (TO-126) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 60V kolektör-emitter gerilimi ve 3A kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 1.5W güç disipasyon sınırı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Minimum 50 DC current gain (hFE) ve 50MHz transition frequency özelliğine sahip olan MJE181G, -65°C ile +150°C arasında çalışabilir. Düşük ICBO (100nA) değeri ile sızıntı akımı minimumdur. Audio amplifikatörleri, kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Part Status
Active
Power - Max
1.5 W
Supplier Device Package
TO-126
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.7V @ 600mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V