Görsel mevcut değil
MJE18002D2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR
MJE18002D2 Hakkında
MJE18002D2, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde bir power bipolar transistördür. TO-220-3 paket formatında sunulan bu transistör, 50W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 2A maksimum kolektör akımı ve 450V kolektör-emitter breakdown voltajı ile orta-yüksek gerilim uygulamalarında kullanılabilir. 13MHz transition frequency ve 400mA'de 14 minimum DC current gain (hFE) değerleriyle karakterize edilmiştir. -65°C ile +150°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel ortamlardaki kullanım için uygunluğunu gösterir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve ses amplifikasyon uygulamalarında kullanım alanı bulunmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
14 @ 400mA, 1V
Frequency - Transition
13MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
50 W
Supplier Device Package
TO-220-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
750mV @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
450 V