Görsel mevcut değil
MJE170STU
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR
MJE170STU Hakkında
MJE170STU, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi power bipolar transistördür. 3A maksimum kolektör akımı, 1.5W güç kapasitesi ve 40V breakdown voltajı ile orta güçlü uygulamalar için tasarlanmıştır. 50MHz geçiş frekansı ve 100 @ 100mA, 1V koşullarında 50 minimum DC akım kazancı özelliklerine sahiptir. TO-126-3 paketinde sunulan bu transistör, 150°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilir. Ses amplifikatörleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. ICBO maksimum 100nA ve 1.7V satürasyon voltajı ile enerji verimliliği sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Part Status
Active
Power - Max
1.5 W
Supplier Device Package
TO-126-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.7V @ 600mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V