Görsel mevcut değil
MJE15035G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 350V 4A TO220AB
MJE15035G Hakkında
MJE15035G, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-220-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum collector akımı 4A, collector-emitter gerilim sınırı 350V'tur. 2W maksimum güç dissipasyonuna sahip olan transistör, 30MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalarda kullanılabilir. Operating temperature aralığı -65°C ile 150°C arasındadır. Vce saturation değeri 500mV (100mA, 1A koşullarında) olup anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. Through hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarında yaygın olarak uygulanır. Orta güç anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel elektronik sistemlerinde kullanım alanı bulur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 2A, 5V
Frequency - Transition
30MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
TO-220
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V