Görsel mevcut değil
MJD5731T4G
MJD5731T4G Hakkında
MJD5731T4G, onsemi tarafından üretilen yüksek gerilim PNP bipolar junction transistördür. 350V kolektör-emitter ters kırılma gerilimi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 1A kolektör akımı ve 1.56W güç dağıtımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, özellikle yüksek gerilim ortamlarında uygulanır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için elverişlidir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Endüstriyel kontrol, anahtarlamalar ve güç yönetim uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition
10MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V