Görsel mevcut değil
MJD5731T4
MJD5731T4 Hakkında
MJD5731T4, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj PNP bipolar transistörüdür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 350V kolektör-emitör kırılma gerilimi ve 1A maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) 30 (300mA, 10V'de), transition frekansı 10MHz ve maksimum güç dağıtımı 1.56W'tır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, düşük-orta frekanslı anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve yüksek voltaj anahtarlama işlemlerinde kullanılır. Surface mount tipi montajı ve kompakt yapısı, modern elektronik tasarımlarında yer tasarrufu sağlar. Komponentin bulunduğu paket, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamaları için uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition
10MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V