Görsel mevcut değil
MJD50TF
MJD50TF Hakkında
MJD50TF, onsemi tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 400V çökertme gerilimi (VCEO) ve 1A maksimum collector akımı ile bu transistör, güç kontrol ve anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, high-voltage anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan komponent, kompakt PCB tasarımlarında yer tasarrufu sağlar. 10MHz transition frequency ile genel amaçlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Maksimum 1.56W güç yayma kapasitesi ve 150°C junction sıcaklık desteği ile güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition
10MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
D-Pak
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V