Görsel mevcut değil
MJD50T4G
MJD50T4G Hakkında
MJD50T4G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar transistördür. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 400V kolektör-emiter kırılma voltajı ve 1A maksimum kolektör akımı ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 1.56W maksimum güç dağıtımı kapasitesi, 30 minimum DC akım kazancı ve 10MHz geçiş frekansı özellikleri ile anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, güç yönetimi ve elektrik arayüz uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında dayanıklı performans sağlayan bu transistör, endüstriyel ve tüketim elektroniği tasarımlarında yerini almış bir standarttır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition
10MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V