Görsel mevcut değil
MJD50T4
MJD50T4 Hakkında
MJD50T4, onsemi tarafından üretilen TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan NPN türü güç transistörüdür. 400V Collector-Emitter voltaj dayanımı ve 1A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. 15W maksimum güç dağıtımına sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 300mA ve 10V şartlarında en az 30 değerindedir. Saturation voltajı 1A akımda maksimum 1V'dir. 10MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Geniş sıcaklık aralığında (-65°C ile 150°C arası) çalışan bu bileşen, güç amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde yer bulur. Surface mount montajı için uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition
10MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
15 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V