Görsel mevcut değil
MJD50RLG
MJD50RLG Hakkında
MJD50RLG, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar transistördür. 400V collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1A collector akımı ve 1.56W maksimum güç derecelendirmesi ile orta güç anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerinde uygulanır. Surface mount TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu transistör, 30 minimum DC akım kazancı (100mA, 10V'de) ve 10MHz transition frequency ile hızlı komutasyon gerektiren devrelerle uyumludur. -65°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve oto uygulamalarında güvenilir performans sağlar. İnverter, motor kontrol, güç kaynağı ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition
10MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V