Görsel mevcut değil
MJD50
MJD50 Hakkında
MJD50, onsemi tarafından üretilen NPN türü bipolar transistördür. 400V kollektör-emiter breakdown voltajı ve 1A maksimum kollektör akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Surface mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve darbe amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 1.56W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 10MHz geçiş frekansı ile orta hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Vce doyum voltajı 1V'dir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition
10MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V