Görsel mevcut değil
MJD47TF
MJD47TF Hakkında
MJD47TF, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 DPak yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 250V kolektör-emitter gerilimi ve 1A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.56W maksimum güç dissipasyonu kapasitesine sahip olan transistör, güç yönetimi, motorlu cihazlar, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. 10MHz transition frequency (fT) değeri ile düşük frekanslı işaretleme ve anahtarlama görevlerine uygundur. 30 (minimum) DC akım kazancı (hFE) ile 1V saturasyon gerilimi, verimli anahtar çalışması sağlar. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Component şu anda üretimden kaldırılmıştır (obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition
10MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
D-Pak
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250 V