Görsel mevcut değil
MJD47T4G
MJD47T4G Hakkında
MJD47T4G, onsemi tarafından üretilen yüksek gerilim NPN BJT transistörüdür. 250V collector-emitter breakdown voltajı ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Maksimum 1A collector akımı ve 1.56W güç tüketimi kapasitesi ile switching ve amplifikasyon devreleri için tasarlanmıştır. Surface mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bileşen, endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition
10MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250 V