Görsel mevcut değil
MJD45H11TM
MJD45H11TM Hakkında
MJD45H11TM, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 8A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.75W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile ses amplifikasyonu, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilmektedir. 40MHz transition frekansı ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirilebilir. Maksimum 150°C junction sıcaklığında çalışabilir ve 40 (minimum) DC current gain değerine sahiptir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition
40MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
D-Pak
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V