Görsel mevcut değil
MJD45H11TM
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR
MJD45H11TM Hakkında
MJD45H11TM, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi güç transistörüdür. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 8A kolektör akımı ve 80V kesme gerilimi ile tasarlanmıştır. 1.75W maksimum güç dağıtabilme kapasitesine sahip olan transistör, 40MHz transit frekansı ile orta hızlı uygulamalara uygundur. Vce saturasyon gerilimi 1V'ta 8A akım için 1V'tur. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. DC akım kazancı (hFE) 4A, 1V koşullarında minimum 40'tır. Güç amplifikasyon, anahtarlama ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition
40MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
TO-252-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V