Görsel mevcut değil
MJD45H11TF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR
MJD45H11TF Hakkında
MJD45H11TF, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipinde güç transistörüdür. TO-252-3 (DPak) paket formatında sunulan bu bileşen, maksimum 8A collector akımı, 80V VCEO dağılım voltajı ve 1.75W güç dağıtım kapasitesi ile çalışır. 40MHz transition frequency ile, 150°C'ye kadar çalışan bu transistör, darbe devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve ses frekansı amplifikasyonunda kullanılır. Düşük collector cutoff akımı (10µA) ve 1V saturasyon voltajı sayesinde sürücü devrelerinde ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition
40MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
TO-252-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V