Görsel mevcut değil
MJD45H11T4G
MJD45H11T4G Hakkında
MJD45H11T4G, onsemi tarafından üretilen yüksek akım PNP bipolar transistördür. TO-252 (DPAK) paketinde sunulan bu bileşen, 80V kolektor-emitter gerilimi ve 8A maksimum kolektor akımı ile orta güçlü uygulamalarda kullanılır. 1.75W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile gerilim düzenleyicileri, motor kontrolü, güç anahtarlaması ve ses frekans amplifikatörü uygulamalarında yer alır. DC akım kazancı 4A, 1V'de minimum 40 değerine sahiptir. 90MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine uygun tasarlanmıştır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C) endüstriyel uygulamalar için uygunluğunu artırır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition
90MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V