Görsel mevcut değil
MJD45H11J
MJD45H11J Hakkında
MJD45H11J, Nexperia tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 8A kollektor akımı ve 80V çalışma voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.75W güç tüketim kapasitesi, 80MHz geçiş frekansı ve 60 minimum DC akım kazancı özellikleriyle, motor kontrol, güç anahtarlaması, amplifikasyon ve ses devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında çalışabilen bu transistör, hızlı anahtarlamaya ihtiyaç duyan endüstriyel ve tüketici elektroniği tasarımlarında yer alır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition
80MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V