Görsel mevcut değil
MJD45H11G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- TRANS PNP 80V 8A DPAK
MJD45H11G Hakkında
MJD45H11G, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek akım PNP bipolar transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 8A kolektör akımı ve 80V gerilim toleransı ile tasarlanmıştır. 1.75W güç yönetim kapasitesine sahip olan bileşen, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sunar. 90MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Minimum 40 DC current gain (hFE) değeri ile 4A akımda 1V vce'de güçlü anahtarlama performansı sağlar. Güç kaynağı yönetimi, motor kontrolü ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde uygulanır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition
90MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V