Görsel mevcut değil
MJD45H11AJ
MJD45H11AJ Hakkında
MJD45H11AJ, Nexperia tarafından üretilen yüksek akım PNP bipolar transistörüdür. TO-252-3 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 8A kollektör akımı ve 80V collector-emitter breakdown voltajı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 60 minimum DC akım kazancı (hFE) ile 2A/1V koşullarında çalışan transistör, 80MHz transition frequency'ye sahiptir. 1.75W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile güç seviyesi uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. 150°C maksimum işletme sıcaklığı ve düşük doyma voltajı (1V @ 400mA, 8A) ile verimli devreleme sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition
80MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V