Görsel mevcut değil
MJD45H11-1G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- TRANS PNP 80V 8A IPAK
MJD45H11-1G Hakkında
MJD45H11-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli PNP tipinde bipolar transistördür. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 8A collector akımı ve 80V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. 90MHz transition frequency'si ile anahtarlama hızı gerekli devrelerde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilme aralığı geniş sıcaklık ortamlarında kullanılmasına imkan sağlar. 1.75W maksimum güç dağılımı kapasitesi vardır. Tipik olarak amplifikasyon devreleri, motor kontrol uygulamaları ve güç anahtarlama devrelerinde yer alır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition
90MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
I-PAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V