Görsel mevcut değil
MJD42CT4G
MJD42CT4G Hakkında
MJD42CT4G, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistörü (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 6A collector akımı ve 100V collector-emitter gerilimi ile güç elektronikleri, motor kontrolü ve anahtarlama devrelerinde kullanılan bir komponenttir. Surface mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu transistör, 1.75W maksimum güç dağıtabilir ve -65°C ile 150°C arasında çalışabilir. 3MHz transition frequency ve 15 minimum DC current gain (hFE) değerleri ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 1.5V saturation voltajı, düşük güç kaybı gerektiren devre tasarımlarında tercih edilmesi sebebidir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 600mA, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V