Görsel mevcut değil
MJD42CT4
MJD42CT4 Hakkında
MJD42CT4, onsemi tarafından üretilen PNP tipi güç transistörüdür. TO-252 (DPak) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 6A collector akımı ve 100V breakdown voltajı ile çalışabilir. 20W güç disipasyon kapasitesine sahip olan transistör, -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. DC current gain değeri 3A collector akımında, 4V Vce'de minimum 15'tir. 3MHz transition frequency ile anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. Motor kontrolü, güç kaynakları, amplifikatör ve switching regülatör tasarımlarında kullanılan bu transistör artık üretimi durdurulmuştur (obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
20 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 600mA, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V