Görsel mevcut değil
MJD42C1G
MJD42C1G Hakkında
MJD42C1G, onsemi tarafından üretilen bir PNP tipi BJT transistördür. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu komponent, maksimum 6A kolektör akımı ve 100V dayanım gerilimi ile orta güçlü uygulamalarda kullanılır. 1.75W güç kapasitesi ile DC ve anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor sürücü etaflı tasarımlarda tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında çalışabilir, entegre monte edilmeye uygun yapısı ile endüstriyel kontrol sistemleri, ac/dc konvertörler ve genel amaçlı elektronik devreler için uygun seçimdir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
I-PAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 600mA, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V