Görsel mevcut değil
MJD41CTF
MJD41CTF Hakkında
MJD41CTF, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 6A maksimum collector akımı ile güç elektronik devrelerinde kullanılabilir. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 1.75W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. 3MHz transition frequency değeri ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. DC current gain (hFE) değeri 3A, 4V koşullarında minimum 15'tir. Motor sürücüleri, güç amplifikatörleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
TO-252AA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 600mA, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V