Görsel mevcut değil
MJD41CTF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
MJD41CTF Hakkında
MJD41CTF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN epitaxial silicon transistor'dür. Surface mount TO-252 (D-Pak) paketinde sunulan bu component, 6A maksimum collector akımı ve 100V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.75W maksimum güç derecelendirilmesi, 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında stabil çalışma ve 3MHz transition frequency'si sayesinde anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde yer alabilir. 3A akımda 15'lik minimum DC current gain (hFE) değeri, tutarlı transistor davranışı sağlar. Saturation voltajı maksimum 1.5V olan bu transistor, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerinde tercih edilmiştir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
TO-252, (D-Pak)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 600mA, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V