Görsel mevcut değil
MJD41CT4G
MJD41CT4G Hakkında
MJD41CT4G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 6A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 1.75W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle motor kontrol, güç anahtarlaması, LED sürücüsü ve ses amplifikasyon devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -65°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığı geniş sıcaklık koşullarında güvenilir operasyon sağlar. 3MHz transition frequency ve 15 (minimum) DC current gain özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında etkin bir çözüm sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 600mA, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V