Görsel mevcut değil
MJD41CT4
MJD41CT4 Hakkında
MJD41CT4, onsemi tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli NPN bipolar güç transistörüdür. 6A collector akımı ve 100V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, aydınlatma uygulamaları ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 20W maksimum güç dağıtımı ve 150°C'ye kadar işletme sıcaklığı aralığıyla çeşitli ortamlarda çalışabilir. 1.5V doyum voltajı ile düşük güç kaybı sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
20 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 600mA, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V