Görsel mevcut değil
MJD350T4G
MJD350T4G Hakkında
MJD350T4G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj PNP bipolar transistörüdür. 300V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mA maksimum collector akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. DPAK (TO-252-3) yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, özellikle düşük akım sürücü uygulamalarında ve güç denetim sistemlerinde yer alır. -65°C ile 150°C arasında çalışabilen bu komponent, 1.56W maksimum güç tüketimine sahiptir ve 30'un minimum DC akım kazançı (hFE) ile karakterize edilmiştir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V