Görsel mevcut değil
MJD340TF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
MJD340TF Hakkında
MJD340TF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN epitaxial silicon transistör olup yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 500mA collector akımı, 300V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.56W güç dağıtım kapasitesi ile orta güç anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde çalışmaktadır. DC current gain (hFE) değeri 50mA ve 10V koşullarında minimum 30 olarak belirtilmiştir. 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında kararlı çalışan bu transistör, özellikle güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve ses amplifikatörü uygulamalarında tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
D-Pak
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V